Học tốt Vật lí 11 bài 17: Dòng điện trong chất bán dẫn
- Thứ hai - 29/07/2019 10:16
- In ra
- Đóng cửa sổ này
Hướng dẫn giải bài tập Vật lí 11 bài 17: Dòng điện trong chất bán dẫn
A. TRẢ LỜI CÂU HỎI C1, C2, C3 SGK VẬT LÝ 11 BÀI 17
C1. So sánh điện trở suất của gemani tinh khiết, gemani pha tạp gali với tỉ lệ 10-6% và 10-3 ở nhiệt độ phòng với điện trở suất của các kim loại.
Trả lời:
So sánh điện trở suất của gemani tinh khiết, gemani pha tạp gali với tỉ lệ 10-6% và 10-3 và ở nhiệt độ phòng với điện trở suất của các kim loại.
Gọi
1 là điện trở suất của gemani tinh khiết.
2 là điện trở suất của genani pha tạp gali với ỉ lệ 10-6 %
3 là điện trở suất của genani pha tạp gali với tỉ lệ10-3 %
4 là điện trở suất của kim loại.
T a có:
1 > 
2 > 
3 > 
4
C2. Vì sao ở hai bên lớp nghèo lại có các ion dương và ion âm?
Trả lời:
Ở hai bên lớp nghèo có các ion dương và ion âm vì: phía bán dần loại n bị mất electron nên chứa ion âm, phía bán dẫn loại p bị mất lỗ trống nên chứa ion dương.
C3. Tinh thể bán dẫn được pha tạp để tạo ra một miền n móng kẹp giữa hai miền p có thể gọi là tranzito được không?
Trả lời:
Tinh thể làm bán dẫn pha tạp để tạo ra một miền n mỏng kẹp giữa hai miền p gọi là tranzito lưỡng cực p-n-p.
B/ TRẢ LỜI CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP SGK VẬT LÝ 11 BÀI 17 TRANG 106, 107
1. Tính dẫn điện của bán dẫn và kim loại khác nhau như thế nào?
Trả lời:
Tính chất điện của bán dẫn và kim loại khác nhau như sau:
Đối với kim loại: khi nhiệt độ tăng thì điện trở suất tăng, tính dẫn điện giảm.
Đôi với bán dần: khi nhiệt dộ tăng thì diộn trở suất giám, tính dẩn điện tăng.
2. Điểm khác nhau chính giữa nguyên tử đôno và axepto đối với silic là gì?
Trả lời:
Điểm khác nhau chính, giữa nguyên tử đôno và axepto đối với silic là:
- Nguyên tử đôno là nguyên tử tạp chất cho tinh thể silic một êlectron dần.
- Nguyên tử axepto là nguyên tử tạp chất nhận một êlectron liên kêt và sinh ra lỗ trống.
3. Mô tả cách sinh ra êlectron và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết, bán dẫn n và p?
Trả lời:
- Cách sinh ra êlectron và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết:
Trong bán dẫn silic tinh khiết, mỗi nguyên tử silic có bốn êlectron hóa trị nên vừa đủ để liên kết với bốn nguyên tử lân cận. Các êlectron hóa trị không tham gia vào việc dẫn điện.
Khi nhiệt độ tăng, nếu một électron bị đứt khỏi mối liên kết sẽ trở thành hạt tải điện là êlectron dẫn và để lại lỗ trống mang điện dương. Khi một êlectron ở mối liên kết của nguyên tử silic lân cận chuyển đến lỗ trống thì mối liên kết sẽ di chuyển ngược lại, nên ta xem trong silic có hạt tải điện là êlectron và lỗ trống.
- Cách sinh ra êlectron và lỗ trống trong bán dẫn loại n.
Khi pha tạp P, As, ... là những nguyên tố có năm êlectron hóa trị vào trong tinh thể silic, chúng chỉ cần dùng bốn êlectron hóa trị để liên kết với bốn nguyên tử silic lân cận. Electron thứ năm dễ trở thành êlectron tự do, nên mỗi nguyên tử tạp chất cho tinh thể một êlectron dẫn, ta gọi là đôno. Mặt khác do chuyển động nhiệt cũng có êlectron và lỗ trống tạo ra nhưng số lượng lỗ trống ít hơn. Hạt mang điện trong bán dẫn loại n chủ yếu là êlectron.
Trong bán dẫn loại p: khi pha thêm B, AI... là các nguyên tử có ba êlectron hóa trị vào silic, chúng phải lấy một électron của nguyên tư silic lân cận để đủ bốn mối liên kết. Chúng nhận một êlectron liên kết và sinh ra một lỗ trống nên gọi là axepto. Hạt mang điện trong bán dẫn loại p chủ yếu là lỗ trống.
4. Dòng diện chỉ chạy qua lớp chuyển tiếp p-n theo chiều nào?
Trả lời:
Dòng diện chỉ chạy qua lớp chuyển tiếp theo chiều từ p đến n.
5. Khi nào thì một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n trên một đơn tinh thể được xem là một tranzito n-p-n?
Trả lời:
một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n trên một tinh thể được xem là một tranzito n-p-n.
6. Phát biểu nào dưới đây là chính xác?
Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
A. nó không phải là kim loại , cũng không phải là điện môi.
B. hạt tải điện trong đó cá thể là êlectron và lỗ trống.
C. điện trở suất của nó rất nhạy cảm với nhiệt độ, tạp chất và các tác nhân ion hóa khác.
D. Cả ba lý do trên.
Trả lời:
Đáp án: D
7. Phát biểu nào dưới đây về tranzito là chính xác?
A. Một lớp bán dẫn loại p kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n là tranzito n-p-n.
B. Một lớp bán dẫn n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại p không thể xem là tranzito.
C. Một lớp bán dẫn loại p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n luôn có khả năng khuếch đại.
D. Trong tranzito n-p-n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền êmitơ cũng cao hơn miền bazơ.
Trả lời:
Đáp án: D
C1. So sánh điện trở suất của gemani tinh khiết, gemani pha tạp gali với tỉ lệ 10-6% và 10-3 ở nhiệt độ phòng với điện trở suất của các kim loại.
Trả lời:
So sánh điện trở suất của gemani tinh khiết, gemani pha tạp gali với tỉ lệ 10-6% và 10-3 và ở nhiệt độ phòng với điện trở suất của các kim loại.
Gọi
1 là điện trở suất của gemani tinh khiết.2 là điện trở suất của genani pha tạp gali với ỉ lệ 10-6 %3 là điện trở suất của genani pha tạp gali với tỉ lệ10-3 %4 là điện trở suất của kim loại.T a có:
1 > 2 > 3 > 4C2. Vì sao ở hai bên lớp nghèo lại có các ion dương và ion âm?
Trả lời:
Ở hai bên lớp nghèo có các ion dương và ion âm vì: phía bán dần loại n bị mất electron nên chứa ion âm, phía bán dẫn loại p bị mất lỗ trống nên chứa ion dương.
C3. Tinh thể bán dẫn được pha tạp để tạo ra một miền n móng kẹp giữa hai miền p có thể gọi là tranzito được không?
Trả lời:
Tinh thể làm bán dẫn pha tạp để tạo ra một miền n mỏng kẹp giữa hai miền p gọi là tranzito lưỡng cực p-n-p.
B/ TRẢ LỜI CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP SGK VẬT LÝ 11 BÀI 17 TRANG 106, 107
1. Tính dẫn điện của bán dẫn và kim loại khác nhau như thế nào?
Trả lời:
Tính chất điện của bán dẫn và kim loại khác nhau như sau:
Đối với kim loại: khi nhiệt độ tăng thì điện trở suất tăng, tính dẫn điện giảm.
Đôi với bán dần: khi nhiệt dộ tăng thì diộn trở suất giám, tính dẩn điện tăng.
2. Điểm khác nhau chính giữa nguyên tử đôno và axepto đối với silic là gì?
Trả lời:
Điểm khác nhau chính, giữa nguyên tử đôno và axepto đối với silic là:
- Nguyên tử đôno là nguyên tử tạp chất cho tinh thể silic một êlectron dần.
- Nguyên tử axepto là nguyên tử tạp chất nhận một êlectron liên kêt và sinh ra lỗ trống.
3. Mô tả cách sinh ra êlectron và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết, bán dẫn n và p?
Trả lời:
- Cách sinh ra êlectron và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết:
Trong bán dẫn silic tinh khiết, mỗi nguyên tử silic có bốn êlectron hóa trị nên vừa đủ để liên kết với bốn nguyên tử lân cận. Các êlectron hóa trị không tham gia vào việc dẫn điện.
Khi nhiệt độ tăng, nếu một électron bị đứt khỏi mối liên kết sẽ trở thành hạt tải điện là êlectron dẫn và để lại lỗ trống mang điện dương. Khi một êlectron ở mối liên kết của nguyên tử silic lân cận chuyển đến lỗ trống thì mối liên kết sẽ di chuyển ngược lại, nên ta xem trong silic có hạt tải điện là êlectron và lỗ trống.
- Cách sinh ra êlectron và lỗ trống trong bán dẫn loại n.
Khi pha tạp P, As, ... là những nguyên tố có năm êlectron hóa trị vào trong tinh thể silic, chúng chỉ cần dùng bốn êlectron hóa trị để liên kết với bốn nguyên tử silic lân cận. Electron thứ năm dễ trở thành êlectron tự do, nên mỗi nguyên tử tạp chất cho tinh thể một êlectron dẫn, ta gọi là đôno. Mặt khác do chuyển động nhiệt cũng có êlectron và lỗ trống tạo ra nhưng số lượng lỗ trống ít hơn. Hạt mang điện trong bán dẫn loại n chủ yếu là êlectron.
Trong bán dẫn loại p: khi pha thêm B, AI... là các nguyên tử có ba êlectron hóa trị vào silic, chúng phải lấy một électron của nguyên tư silic lân cận để đủ bốn mối liên kết. Chúng nhận một êlectron liên kết và sinh ra một lỗ trống nên gọi là axepto. Hạt mang điện trong bán dẫn loại p chủ yếu là lỗ trống.
4. Dòng diện chỉ chạy qua lớp chuyển tiếp p-n theo chiều nào?
Trả lời:
Dòng diện chỉ chạy qua lớp chuyển tiếp theo chiều từ p đến n.
5. Khi nào thì một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n trên một đơn tinh thể được xem là một tranzito n-p-n?
Trả lời:
một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n trên một tinh thể được xem là một tranzito n-p-n.
6. Phát biểu nào dưới đây là chính xác?
Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
A. nó không phải là kim loại , cũng không phải là điện môi.
B. hạt tải điện trong đó cá thể là êlectron và lỗ trống.
C. điện trở suất của nó rất nhạy cảm với nhiệt độ, tạp chất và các tác nhân ion hóa khác.
D. Cả ba lý do trên.
Trả lời:
Đáp án: D
7. Phát biểu nào dưới đây về tranzito là chính xác?
A. Một lớp bán dẫn loại p kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n là tranzito n-p-n.
B. Một lớp bán dẫn n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại p không thể xem là tranzito.
C. Một lớp bán dẫn loại p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n luôn có khả năng khuếch đại.
D. Trong tranzito n-p-n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền êmitơ cũng cao hơn miền bazơ.
Trả lời:
Đáp án: D
Bản quyền bài viết thuộc về Sachgiai.com. Ghi nguồn Sách giải.com khi đăng lại bài viết này.